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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]集成电路-CN202320055034.5有效
发明人： C·A·苏亚雷斯·塞戈维亚;D·帕克;C·特鲁伊勒;A·马勒布;S·尼埃尔 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路。一种集成电路，包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的电有源区域；以及导热保护结构，所述导热保护结构围绕所述电有源区域在所述集成电路的边界处延伸。由此，提供了改进的集成电路。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN202210077342.8在审
发明人：日朝信行 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明提供能恰当地判定电源电路的类型的集成电路。集成电路是基于流过电感器的电感器电流和输出电压来对控制电感器电流的功率晶体管进行开关的集成电路，包括：第一端子，在集成电路用于非绝缘型的第一电源电路时连接第一电路，在集成电路用于绝缘型的第二电源电路时连接第二电路；电压生成电路，在第一状态下生成比第一电平低且与输出电压对应的电压，在第二状态下生成比第二电平高的电压，在第三状态下生成比第一电平高且比第二电平低的电压；判定电路，当第一端子的电压比第二电平低时判定为集成电路用于第一电源电路，当第一端子的电压比第二电平高时判定为集成电路用于第二电源电路；及驱动电路，基于判定结果来驱动功率晶体管。
集成电路

[实用新型]集成电路-CN201621257644.X有效
发明人： C·里韦罗;J-P·埃斯卡勒斯 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型的实施例涉及集成电路。使用堆叠，其包括双钝化(CPSI、CPSS)并且被局部蚀刻以暴露集成电路的位于集成电路的互连部分的最后金属化层级之上的接触垫(PLCT)，以保护上述集成电路防止至少一个电介质区域的击穿。至少一个电介质区域至少部分多孔，并且分离集成电路的互连部分的两个导电元件。击穿由上述至少一个电介质区域内的缺陷的存在所辅助的电传导引起。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN202210386656.6在审
发明人：谌俊元;苏焕杰;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路，包括位于该集成电路的前侧的基板。第一全绕式栅极晶体管设置于该基板上。该第一全绕式栅极晶体管包括：包括至少一半导体纳米结构的通道区、配置于通道区两侧的源极/漏极区、以及栅极电极。浅沟槽隔离区自背侧延伸至集成电路。背侧栅极插塞自背侧延伸至集成电路且接触第一全绕式栅极晶体管的栅极电极。背侧栅极插塞于集成电路的背侧横向地接触浅沟槽隔离区。
集成电路

[实用新型]集成电路-CN200820210113.4无效
发明人：黄树良;龚大伟 -专利权人：技领半导体(上海)有限公司;技领半导体股份有限公司
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成电路。构造集成电路的方法包括：选择模块拼片然后使用拼片产生功能电路布图。从经过验证的拼片库中选择执行预定功能、并且具有大约相同长度和宽度尺寸的模块拼片。使用拼片产生集成电路的功能电路布图。在很多具体实现中，集成电路的物理布图不包括布线步骤。然后在拼片的功能电路之上增加互连层，并且将所述输入—输出端连接到位于功能电路布图的周边处的键合焊盘。产生对应于功能电路布图的芯片数据，然后产生对应于芯片数据的中间掩模，基于中间掩模在晶圆上形成集成电路。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN202010505110.9在审
发明人：颜孝璁;陈家源 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种集成电路，包含第一绕组以及第二绕组。第一绕组被配置在集成电路的第一侧。第二绕组被配置在集成电路的第二侧，并与第一绕组部分重叠于交界处。第一绕组与第二绕组在交界处不交错。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN201910905286.0在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：此处公开具有整合布局的集成电路与其形成方法。例示性的集成电路包括第一单元，其含有一或多个第一种全绕式栅极晶体管位于集成电路的第一区中；第二单元，其含有一或多个第二种全绕式栅极晶体管位于集成电路的第一区中，其中第二单元与第一单元相邻，其中第一种全绕式栅极晶体管为纳米晶体管与纳米线晶体管中的一者，而第二种全绕式栅极晶体管为纳米晶体管与纳米线晶体管中的另一者；以及第三单元，其含有一或多个鳍状场效晶体管位于集成电路的第二区中，其中集成电路的第二区与第一区隔有一段距离。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN201310053595.2有效
发明人：许嘉伦;邓永佳 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路，包括高速信号输入引脚、共同节点、高速信号输出引脚以及核心电路。高速信号输入引脚与高速信号输出引脚配置于集成电路的封装上。共同节点与核心电路配置于该集成电路中。核心电路的高速信号输入端直接电性耦接至该共同节点。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN201911016264.5在审
发明人：萧锦涛;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本案提供一种集成电路，此集成电路包括基板及在与基板的顶表面平行的第一方向上延伸的第一导电线，其中第一导电线距离基板的顶表面第一距离。集成电路进一步包括在与基板的顶表面平行的第二方向上延伸的第二导电线，其中此第二导电线距离基板的顶表面第二距离，并且第二距离大于第一距离。集成电路进一步包括在第一方向上延伸的第三导电线，其中第三导电线距离基板的顶表面第三距离，并且第三距离大于第二距离。集成电路进一步包括直接连接至第一导电线及第三导电线的超通孔。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN202011004212.9有效
发明人：尚为兵;张凤琴 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/4096 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种集成电路，所述集成电路包括：第一数据线组，所述第一数据线组包括阵列排布的多条本地数据线；第二数据线组，所述第二数据线组包括阵列排布的多条互补本地数据线，其中，多条所述互补本地数据线分别与多条所述本地数据线传输相位相反的信号；多个读取电路，响应于读取控制信号，用于在读操作期间读取所述本地数据线或所述互补本地数据线的信号，其中，多个所述读取电路分别与所述第一数据线组边缘的所述本地数据线电连接或与所述第二数据线组边缘的所述互补本地数据线连接本发明提供的集成电路能够降低集成电路的功耗，以改善集成电路的性能。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN202180031310.8在审
发明人：佐藤由纪;大竹健二;安藤孝文;杰弗里·莫罗尼;小查尔斯·艾伦·德弗里斯;克里斯滕·阮·帕里什 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种集成电路(100)及制造集成电路(100)的方法。所述集成电路(100)包含具有电子组件(104)的衬底(102)。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN201510018918.3有效
发明人：林志青;高亦平;苏峻松 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路，该集成电路包含有：多个核心电力源；以及多个核心电力域，分别耦接于核心电力源；其中核心电力域彼此重叠。由于本发明所揭露的集成电路包含有多个彼此重叠的核心电力域，所以有一些持续启用单元可以被关闭以有效地降低耗电量。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN201710398433.0在审
发明人：张盟昇;张贝眉;周绍禹;张良川 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本揭露提供一种集成电路。具体的，本揭露提供一种非易失性存储器，其包含第一熔丝，其制作于集成电路的第一导电层上；第二熔丝，其制作于所述集成电路的第二导电层上；和晶体管，其制作于所述集成电路的前段工艺FEOL结构上。所述非易失性存储器的第一存储器单元是由包括所述第一熔丝和所述晶体管的第一存储器电路提供，且所述非易失性存储器的第二存储器单元是由包括所述第二熔丝和所述晶体管的第二存储器电路提供。
集成电路

[实用新型]集成电路-CN201621057095.1有效
发明人： R·范霍尔恩;W·多贝拉里;V·B·伊森;A·B·G·科耶特;G·吉伦 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路。集成电路的实现方式可以包括每个都具有阳极和阴极的一个或多个二极管，所述一个或多个二极管中的每个二极管可以与电压域耦接。一个或多个测试管脚可以与一个或多个二极管耦接。所述一个或多个二极管可以配置为在所述集成电路的常规操作期间保持非激活。根据本公开的实施例，可以提供改进的集成电路，以测试集成电路中的模拟故障。
集成电路

[发明专利]集成电路-CN200510059502.2无效
发明人：乌尔里希·弗里德里希;迪尔克·施贝茨 -专利权人： ATMEL德国有限公司
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一个具有一个可分离的线路结构(LS)的集成电路(IC)，该线路结构在一个被分离的状态中阻止对集成电路(IC)的至少一个电路部分(SB)的访问，还涉及包含一个这样的集成电路的晶片。根据本发明，该线路结构(LS)被这样定位，使得它在该集电路(IC)从一个晶片(WF)中被切割时被分离。本发明还涉及对于应答器的应用。
集成电路

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